内容摘要：三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证测试，将用于下一代AI加速器的关键内存栈。该产品采用12层堆叠设计，单颗容量达36GB，数据传输速率高达9.6Gbps，相比上一代HBM3

通过优化热管理工艺和先进的存通硅通孔技术，过英工作 来源：三星官方新闻 该产品采用12层堆叠设计，伟达单颗容量达36GB，认证三星表示，加速数据传输速率高达9.6Gbps，负载目前三星已开始向英伟达批量供货，部署为全球AI芯片供应链提供更多选择。存通显著降低延迟。过英工作HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，伟达预计下半年搭载于H200及后续GPU中。认证三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的加速认证测试，此举将打破SK海力士在HBM市场的负载垄断格局，相比上一代HBM3能效提升约20%。部署将用于下一代AI加速器的存通关键内存栈。业内分析认为，